,质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,通过一高度也为L的匀强磁场区域.则线框通过磁场过程中质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,通过一高度也为L的匀强磁

,质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,通过一高度也为L的匀强磁场区域.则线框通过磁场过程中质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,通过一高度也为L的匀强磁 质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,进入一高度也为L的匀强磁场区域F安大于G此后V变化情况? 正方形线框abcd边长为L,质量为m,电阻为R,匀强磁感应强度为B,垂直于线框平面,当质量为M的物质从某一位置静止下降,线框上升到刚进入磁场时,恰能做匀速运动,然后全部进入磁场.不计摩擦和空 如图所示,abcd是一个质量为m,边长为L的正方形金属线框,从图示位置自由下落 一沿水平方向且磁感应强度大小均为B的有水平边界的匀强磁场,如图所示,磁场高度为2L.一个框面与磁场方向垂直.质量为m.电阻为R 边长为L的正方形金属框abcd从某一高度由静止释放,当ab边刚进 质量为m、边长为l的正方形线框,从有界的匀强磁场上方由静止自由下落.线框电阻为R.匀强磁场的宽度为H.（l 质量为m,边长为L的正方形导体框,从有界的匀强磁场上方由静止自由下落.线框每边电阻为R.匀强磁场的宽度为H.(1)cd边刚进入磁场时的速度.(2)线框进入磁场的过程中产生的热量质量为m,边长为L 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B；一正方形线框abcd边长为L（L＜d）,质量为m．将线框从磁场上方高h处由静止开始释放,当ab边进入 如图所示,在场强大小为 E 的匀强电场中,有一个边长为L的正方形区域,正方形的一条边与电场方向平行.质量为m、电荷量绝对值为q的电子从某一条边的中点,以初速度v.射入该区域.初速度的方 如图所示,在场强大小为 E 的匀强电场中,有一个边长为L的正方形区域,正方形的一条边与电场方向平行.质量为m、电荷量绝对值为q的电子从某一条边的中点,以初速度v.射入该区域.初速度的方 23.电阻为r的矩形导线框abcd,边长ab＝l,ad＝h,质量为m,自某一高度自由落下, 、正方形线框边长为L、质量为m、电阻为R,线框的上半部 处于匀强磁场中,磁场的磁感应强、正方形线框边长为L、质量为m、电阻为R,线框的上半部处于匀强磁场中,磁场的磁感应强度按B=kt的规 如图所示 用质量为m 电阻为R的均匀导线做成边长为l的单匝正方形线框MNPQ如图所示,用质量为m、电阻为R的均匀导线做成边长为l的单匝正方形线框MNPQ,线框每一边的电阻都相等.将线框置于光滑 电阻为R的矩形导线框,横边长为l,竖边长为h,质量为m,自某一高度自由落下,通过某一匀强磁场（方向向里）宽度为d,若下边框刚落入磁场时线框恰好匀速,线框上边接近离开磁场时又匀速.求1） 边长l=10cm,匝数n=2,质量m=0.1kg的正方形闭合线圈,其总电阻r=0.1.从水平匀强磁场上方的某一高度h处由静止开始自由下落,磁场上、下边缘高度为l,B=0.5T,线圈进入磁场时,线圈平面与磁场垂直.要使 边长l=10cm,匝数n=2,质量m=0.1kg的正方形闭合线圈,其总电阻r=0.1.从水平匀强磁场上方的某一高度h处由静止开始自由下落,磁场上、下边缘高度为l,B=0.5T,线圈进入磁场时,线圈平面与磁场垂直.要使 如图所示,用质量为m,电阻为R的均匀导线做成边长为l的单匝如图所示,用质量为m、电阻为R的均匀导线做成边长为l的单匝正方形线框MNPQ,线框每一边的电阻都相等.将线框置于光滑绝缘的水平面 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的上下两个边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L＜d）,质量为m,将线框磁场上方高h处由静止释放,如果ab边进入磁