质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,进入一高度也为L的匀强磁场区域F安大于G此后V变化情况?

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/03/29 21:51:47
质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,进入一高度也为L的匀强磁场区域F安大于G此后V变化情况?

质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,进入一高度也为L的匀强磁场区域F安大于G此后V变化情况?
质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,进入一高度也为L的匀强磁场区域F安大于G此后V变化情况?

质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,进入一高度也为L的匀强磁场区域F安大于G此后V变化情况?
有两种情况,一种情况是:一直做加速度减小的减速运动,另一种情况是:先做加速度减小的减速运动,(当安培力等于重力时,还没有出来) ,再做匀速直线运动.总之,画出受力图即可明白.力决定了物体的运动情况.

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,质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,通过一高度也为L的匀强磁场区域.则线框通过磁场过程中质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,通过一高度也为L的匀强磁 质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,进入一高度也为L的匀强磁场区域F安大于G此后V变化情况? 一沿水平方向且磁感应强度大小均为B的有水平边界的匀强磁场,如图所示,磁场高度为2L.一个框面与磁场方向垂直.质量为m.电阻为R 边长为L的正方形金属框abcd从某一高度由静止释放,当ab边刚进 23.电阻为r的矩形导线框abcd,边长ab=l,ad=h,质量为m,自某一高度自由落下, 正方形线框abcd边长为L,质量为m,电阻为R,匀强磁感应强度为B,垂直于线框平面,当质量为M的物质从某一位置静止下降,线框上升到刚进入磁场时,恰能做匀速运动,然后全部进入磁场.不计摩擦和空 如图所示,abcd是一个质量为m,边长为L的正方形金属线框,从图示位置自由下落 边长l=10cm,匝数n=2,质量m=0.1kg的正方形闭合线圈,其总电阻r=0.1.从水平匀强磁场上方的某一高度h处由静止开始自由下落,磁场上、下边缘高度为l,B=0.5T,线圈进入磁场时,线圈平面与磁场垂直.要使 边长l=10cm,匝数n=2,质量m=0.1kg的正方形闭合线圈,其总电阻r=0.1.从水平匀强磁场上方的某一高度h处由静止开始自由下落,磁场上、下边缘高度为l,B=0.5T,线圈进入磁场时,线圈平面与磁场垂直.要使 电阻为R的矩形导线框,横边长为l,竖边长为h,质量为m,自某一高度自由落下,通过某一匀强磁场(方向向里)宽度为d,若下边框刚落入磁场时线框恰好匀速,线框上边接近离开磁场时又匀速.求1) 如图所示,电阻为R的矩形导线框abcd,边长ab=L,ad=h,质量为m,从某一高度自由落下,通过一匀强磁场,磁场方向垂直纸面向里,磁场区域的宽度为h.线框恰好以恒定速度通过磁场,则线圈全部通过磁场所 第1题:边长为L=10CM,匝数N=2,质量为M=0.1KG的正方形逼和线圈,其总电阻为r=0.1欧.从水平匀强磁场上放的某一高度H处由景致开始自由下落.磁场上,下边缘间也为L=10CM.磁感应强度为0.5T,方向垂直纸 质量为m、边长为l的正方形线框,从有界的匀强磁场上方由静止自由下落.线框电阻为R.匀强磁场的宽度为H.(l 关于电磁学的问题如图所示,正方形线框ABCD的质量为m,边长为l,导线框的总电阻为R.导线框从垂直纸面向里的水平有界匀强磁场的上方h的高度由静止自由下落,下落过程中导线框始终在与磁场垂 质量为m,边长为L的正方形导体框,从有界的匀强磁场上方由静止自由下落.线框每边电阻为R.匀强磁场的宽度为H.(1)cd边刚进入磁场时的速度.(2)线框进入磁场的过程中产生的热量质量为m,边长为L 如图所示,在场强大小为 E 的匀强电场中,有一个边长为L的正方形区域,正方形的一条边与电场方向平行.质量为m、电荷量绝对值为q的电子从某一条边的中点,以初速度v.射入该区域.初速度的方 如图所示,在场强大小为 E 的匀强电场中,有一个边长为L的正方形区域,正方形的一条边与电场方向平行.质量为m、电荷量绝对值为q的电子从某一条边的中点,以初速度v.射入该区域.初速度的方 、正方形线框边长为L、质量为m、电阻为R,线框的上半部 处于匀强磁场中,磁场的磁感应强、正方形线框边长为L、质量为m、电阻为R,线框的上半部处于匀强磁场中,磁场的磁感应强度按B=kt的规 如图所示 用质量为m 电阻为R的均匀导线做成边长为l的单匝正方形线框MNPQ如图所示,用质量为m、电阻为R的均匀导线做成边长为l的单匝正方形线框MNPQ,线框每一边的电阻都相等.将线框置于光滑