关于杂质半导体的问题为什么自由电子的浓度大大高于空穴的浓度而N型半导体依然呈电中性.

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/16 05:26:00
关于杂质半导体的问题为什么自由电子的浓度大大高于空穴的浓度而N型半导体依然呈电中性.

关于杂质半导体的问题为什么自由电子的浓度大大高于空穴的浓度而N型半导体依然呈电中性.
关于杂质半导体的问题
为什么自由电子的浓度大大高于空穴的浓度而N型半导体依然呈电中性.

关于杂质半导体的问题为什么自由电子的浓度大大高于空穴的浓度而N型半导体依然呈电中性.
对于n型半导体,其中的电子是多数载流子,但是这些电子主要是来自于施主杂质原子的电离.
当一个施主原子电离出一个电子后,本身就带有一个正电荷,则它们的正负电荷相等,保持为电中性;许多施主原子电离出同样多的电子后,整个半导体仍然保持为电中性.所以,不管电子浓度比空穴浓度大多少,半导体始终是电中性的.

关于杂质半导体的问题为什么自由电子的浓度大大高于空穴的浓度而N型半导体依然呈电中性. 为什么P型半导体空穴浓度远大于自由电子浓度?不是掺入少量的杂质吗?怎么就会远大于?求真相! 本征半导体中掺入[ ]族元素 例如[]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[ ]自由电子浓度 [ ]本征空穴浓度? 当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度:A.自由电子浓度增大,空穴浓度减小 半导体中为什么常用自由电子模型来研究问题 关于本征半导体对于掺有杂质的半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的.但是,为什么在杂质全电离情况下,多数载流子浓度基本上 n型半导体中的空穴是怎么形成的还有为什么自由电子比空穴多 问个半导体多子少子的问题1.在杂质半导体中多子的数量与 ( a )(a.掺杂浓度、b.温度)有关.2.在杂质半导体中少子的数量与 ( b )(a.掺杂浓度、b.温度)有关. 在杂质半导体中多子与少子浓度不同为什么半导体呈中性? N型半导体与金属中谁的自由电子多? 本征半导体和杂质半导体的区别 杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为( ).A.N型半导体B.P型半导体C.电子型半导体 半导体中怎样掺入微量的杂质 半导体中怎样掺入微量的杂质 为什么说半导体中载流子的浓度不变呢? 为什么“在纯净的半导体中掺入微量的杂质,会使半导体的导电性能大大增强”? 为什么在纯净的半导体中渗入微量的杂质,会使半导体的导电性能大大加强? 掺杂半导体电子浓度计算在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?(本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3)