杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/11 01:39:34
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的
本征半导体中的载流子都是由本征激发所产生的,一般数量不多(随温度而指数函数式增大).
但是,掺入施主杂质或者受主杂质以后,则杂质可提供大量的电子或者空穴,这就是多数载流子;这时,还是存在少数载流子,那就是本征激发出来的一些载流子.

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的 N型半导体的多数载流子和少数载流子是什么? 半导体中的多数载流子是由()产生的;少数载流子是由()产生的. 杂质半导体中,多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定?和温度有什么关系? 多数载流子和少数载流子的意义 多数载流子和少数载流子是什么意思 P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子.这句话是正确的么? 关于本征半导体对于掺有杂质的半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的.但是,为什么在杂质全电离情况下,多数载流子浓度基本上 1. 本征半导体中的两种载流子是 ,N型半导体多数载流子是 . 什么是P型半导体和N型半导体?其多数载流子和少数载流子各是什么?能否说P型半导体带正电、N型半导体带负 电子电路基础题.帮下小弟.第48题 (2.0) 分 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺第49题 (2.0) 分 半导体中的少数载流子产生的原因是( )A、 P型杂质半导体中,多数载流子是 (空穴)(正离子)(负离子)? 填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与本征 为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小 为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小 1.N型半导体中,多数载流子是( ). 判断:由于P型半导体中的多数载流子是空穴,所以P型半导体带正电.(理由) n型半导体中多数载流子(电子)数量大于少数载流子(空穴) 那是不是n型半导体总体带负电是不是啊!