半导体物理中的重掺杂的概念?

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/28 12:28:43
半导体物理中的重掺杂的概念?

半导体物理中的重掺杂的概念?
半导体物理中的重掺杂的概念?

半导体物理中的重掺杂的概念?
掺杂是针对杂志半导体而言,就是在本征半导体中参入3价或5价元素,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质.重掺杂就是参入的杂志浓度比较大.

对半导体材料来讲,其导电率取决于它的纯洁度和与其它材料的混合度两种量值。一般来讲:
1)纯洁度愈高导电率愈好
2)与导电率较好材料混合愈多,导电率愈好
3)与导电率较差材料混合愈多,导电率愈差

重掺指掺杂元素足以达到破坏原本征材料能带结构,对于N型掺杂,也就是费米能级进入或即将进入导带,杂质能级与导带中能级发生杂化。一般费米能级在导带之下2kT时进入弱简并,波尔兹曼分布不再适用,应该用费米分布,而且泡利不相容原理必须考虑。掺杂浓度ND在10的19次方量级以上,已经超出导带状态密度NC,此时导带底基本被电子填满,会产生一系列效应比如BM漂移。半物刘恩科第七版P93上有一些,呵呵...

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重掺指掺杂元素足以达到破坏原本征材料能带结构,对于N型掺杂,也就是费米能级进入或即将进入导带,杂质能级与导带中能级发生杂化。一般费米能级在导带之下2kT时进入弱简并,波尔兹曼分布不再适用,应该用费米分布,而且泡利不相容原理必须考虑。掺杂浓度ND在10的19次方量级以上,已经超出导带状态密度NC,此时导带底基本被电子填满,会产生一系列效应比如BM漂移。半物刘恩科第七版P93上有一些,呵呵

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