试说明CTG-1型C-V测试仪测硅外延片杂质浓度时,汞—硅接触漏电或硅片体内串联电阻对测试结果会有什么影响?

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/08 20:27:20
试说明CTG-1型C-V测试仪测硅外延片杂质浓度时,汞—硅接触漏电或硅片体内串联电阻对测试结果会有什么影响?

试说明CTG-1型C-V测试仪测硅外延片杂质浓度时,汞—硅接触漏电或硅片体内串联电阻对测试结果会有什么影响?
试说明CTG-1型C-V测试仪测硅外延片杂质浓度时,汞—硅接触漏电或硅片体内串联电阻对测试结果会有什么影响?

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如图6.4,当接触电流过大的话,C2两端就不能忽略,即C1两端的电压不能和电路总电压近似!导致测量结果偏大!硅片体内串联电阻偏大同样会导致测量电压偏大!

国家有色金属及电子材料分析测试中心从事硅和化合物半导体材料检测,可一次中心拥有美国Thermo Fisher公司最新型号的Element GD辉光放电质谱仪(GDMS),