为什么mosfet镜像电流源可以用N沟道增强型mosfet代替电阻

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/01 12:38:24
为什么mosfet镜像电流源可以用N沟道增强型mosfet代替电阻

为什么mosfet镜像电流源可以用N沟道增强型mosfet代替电阻
为什么mosfet镜像电流源可以用N沟道增强型mosfet代替电阻

为什么mosfet镜像电流源可以用N沟道增强型mosfet代替电阻
同步整流low side mosfet 的作用其实跟非同步整流时的shottky diode是一样的,电流从S到D,不同的是由于MOSFET是双向导通,当电流减小到零是,MOFET可以变成D到S,这种情况就保证电流连续导通的实现,因为电感的电流没有中断,而是变成从负载sink电流.这也是同步整流的一个优点.至于body diode,它只在死区时间导通.一般给low side mosfet并一个shottky diode,这样死区时间里shottky diode取代body diode导通,提高了效率

为什么mosfet镜像电流源可以用N沟道增强型mosfet代替电阻 N沟道MOSFET,按使用电位高低分为源和漏区,这是为什么,电流不是从高电位流向低电位吗,应该漏区是高的呀 N沟道MOSFET与P沟道MOSFET有什么区别 N沟道MOSFET为什么会出现楔形沟道并出现预夹断 N沟道耗尽型MOSFET源栅漏极电压关系为什么时处于导通状态 如何判断MOSFET是N沟道还还P沟道=0=嘛 不是说现实在学MOSFET N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用? 试画出N沟道、P沟道增强型和耗尽型MOSFET的代表符号 MOSFET怎么由Id,vgs图区分是N沟道还是P沟道 高压 大电流MOSFET型号需要一款耐压值在900V以上,电流值在10A左右的N沟道MOSFET的型号,哪位知道麻烦给说一声,谢谢了! 求 MOS管 推荐,栅极5V电压下就能完全导通的MOSFET,N或P沟道都可以.直插的封装 为什么N沟道mos管要高电来才通 N沟道mos管源极电流可以向漏极流吗?N沟道mos管源极S电流可以向漏极D流吗?(正常时是漏极D电流向源极S流)不知道有没有某种情况会反着流,如电源里的同步整流用MOS(IRF907Z),请高人详细讲解! N沟道耗尽型MOSFET,ID=0,S与D之间的压降是否恒定 比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极...比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还 n沟道耗尽型MOSFET在栅氧化层中通常会掺入什么物质,从而形成导电沟道?p沟道的呢?另外,具体是掺在栅氧化层的什么位置呢? 数电中N沟道增强型MOS管为防止有电流从衬底流向流向源极和导电沟道,通常将衬底与源极相连接不是防止有电流从衬底流向流向源极,为什么还将衬底与源极相连接? N沟道结型场效应管当沟道形成楔型,并且一侧已经夹断,为什么还会有漏极电流?当栅源电压=0,讨论漏源电压对漏极电流的影响,当漏源电压为正,逐渐增大时,d、g之间反偏电压逐渐增大,到夹断