多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响

多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响
多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响

多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响
在硅晶体中,杂质一般是作为载流子的施主跟受主存在的,一般是金属杂质越多电阻越低.
但是多晶硅本体的话,你可以认为是单晶硅.